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科研机构
光电技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
学科主题
Annealing ... [1]
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学科主题:Annealing - Capacitance - Metals - MOS capacitors - MOS devices - Nitric oxide - Oxidation - Silicon carbide
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Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9
作者:
Li, Yanyue
;
Deng, Xiaochuan
;
Liu, Yunfeng
;
Zhao, Yanli
;
Li, Chengzhan
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提交时间:2016/11/03
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