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兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
学科主题
712.1 Semi... [1]
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学科主题:712.1 Semiconducting Materials - 932.1 High Energy Physics
内容类型:期刊论文
专题:兰州大学
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氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 780-785
作者:
邵乐喜
;
谢二庆
;
路永刚
;
贺德衍
;
陈光华
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提交时间:2015/04/27
离子注入掺杂:4985
CVD金刚石薄膜:4865
金刚石膜:3516
开启电压:3419
掺杂金刚石薄膜:3304
场发射理论:2419
氮离子注入:2019
发射电流:1760
发射性能:1331
场电子发射:1300
Field electron emission
Growth doping
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