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具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101179098, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
陈家荣; 王玉琦; 陈文锦; 邱凯; 李新化
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采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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