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超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
邱凯; 韩奇峰; 姬长建; 曹先存; 段铖宏; 尹志军; 李新化; 王玉琦
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采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2009/10/20
氮化镓薄膜材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn1865192, 申请日期: 2006-01-01, 公开日期: 2009-11-09, 2009-11-09
解新建; 王玉琦; 钟飞; 姬长建; 尹志军; 邱凯; 李新化
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