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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Decoherence of two Josephson charge qubits coupled via sigma(x)sigma(x)-type coupling and exposed to sigma(x) noise 期刊论文 physical review a, 2004, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: art.no.052309 作者:  Sun LL 收藏  |  浏览/下载：159/39  |  提交时间：2010/03/09 QUANTUM COMPUTATION   Thermal activation and thermal transfer of localized excitons in InAs self-organized quantum dots 期刊论文 superlattices and microstructures, 1998, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 381-387 Xu ZY; Lu ZD; Yuan ZL; Yang XP; Zheng BZ; Xu JZ; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  INGAAS/GAAS  RELAXATION  GROWTH  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE   Two-dimensional excitonic emission in InAs submonolayers 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 23, 页码: 16919-16924 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Xu JZ; Li SS; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL; Wang PD; Torres CMS; Ledentsov NN 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS QUANTUM-WELLS  OSCILLATOR STRENGTH  RADIATIVE LIFETIMES  LINEWIDTH  DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  DEPENDENCE  HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION   Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531 Xu ZY; Lu ZD; Yang XP; Yuan ZL; Zheng BZ; Xu JZ; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELLS  DOTS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  MATRIX