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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2015 [3]
2013 [1]
2009 [4]
2007 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides
期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402
作者:
Zhi-Qiang Fan
;
Xiang-Wei Jiang
;
Jun-Wei Luo
;
Li-Ying Jiao
;
Ru Huang
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/06/15
Revealing the origin of fast electron transfer in TiO2-based dye-sensitized solar cells
期刊论文
journal of the american chemical society, 2016, 卷号: 138, 期号: 26, 页码: 8165-8174
Hai Wei
;
Jun-Wei Luo
;
Shu-Shen Li
;
Lin-Wang Wang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/16
Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets
期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 33, 页码: 14093-14099
Yun Huang
;
Hui-Xiong Deng
;
Kai Xu
;
Zhen-Xing Wang
;
Qi-Sheng Wang
;
Feng-Mei Wang
;
Feng Wang
;
Xue-Ying Zhan
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/03/29
Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
期刊论文
Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762
Kai Xu
;
Hui-Xiong Deng
;
Zhenxing Wang
;
Yun Huang
;
Feng Wang
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/04/08
Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762
Kai Xu
;
Hui-Xiong Deng
;
Zhenxing Wang
;
Yun Huang
;
Feng Wang
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/03/29
Electronic structural Moiré pattern effects on MoS2/MoSe2 2D heterostructures
期刊论文
nano letters, 2013, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 5485–5490
Jun Kang , Jingbo Li , Shu-Shen Li , Jian-Bai Xia, and Lin-Wang Wang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/03/26
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:131/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302
Wang H (Wang Hui)
;
Zhu JH (Zhu Ji-Hong)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:158/39
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT CHARACTERISTICS
Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
收藏
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浏览/下载:159/62
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提交时间:2010/03/08
ELECTRONIC-STRUCTURE
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:138/40
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提交时间:2010/03/08
GaN
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