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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and Magnetic Properties of (In, Mn) As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si(111) by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 078103 Pan, D; Wang, SL; Wang, HL; Yu, XZ; Wang, XL; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/25 Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   InP Based PD/EAM Integrated Photonic Switch 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.104208 Zhang YX (Zhang Yun-Xiao); Liao ZY (Liao Zai-Yi); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhou F (Zhou Fan); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Wang W (Wang Wei) 收藏  |  浏览/下载：147/36  |  提交时间：2010/03/08 TRAVELING-CARRIER PHOTODIODES   Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672 Liu, HB; Zhao, LJ; Pan, JQ; Zhu, HL; Zhou, F; Wang, BJ; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/08 TUNING RANGE  LASERS  TRANSMITTER  PERFORMANCE  MOVPE   Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/08 metal-organic chemical vapour deposition   Dual-wavelength distributed feedback laser for CWDM based on non-identical quantum well 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 126-128 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：316/19  |  提交时间：2010/04/11 SUPERLUMINESCENT DIODES   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER