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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005 Jiang, DS; Qu, YH; Ni, HQ; Wu, DH; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：112/24  |  提交时间：2010/03/29 molecular beam epitaxy   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled  MBE  quantum dots  photoluminescence  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  LASERS  INP   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP