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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 赵建华; 王海龙 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2014/11/24 一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 鲁军; 肖嘉星; 赵建华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/22 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/10/31 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 赵建华; 朱礼军 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/10/31 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24 赵建华; 潘东 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2014/11/24 立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 潘东; 赵建华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/09/12 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 赵建华; 王海龙 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/08/30