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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 460, 页码: 1-4 作者:  Xiaoye Wang;  Wenyuan Yang;  Baojun Wang;  Xianghai Ji;  Shengyong Xu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/05/30 Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 页码: 2867−2874 作者:  Yuxiang Han;  Mengqi Fu;  Zhiqiang Tang;  Xiao Zheng;  Xianghai Ji 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/05/23 Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate 期刊论文 crystal growth & design, 2015, 卷号: 15, 页码: 2413−2418 Wenna Du; Xiaoguang Yang; Huayong Pan; Xiaoye Wang; Haiming Ji; Shuai Luo; Xianghai Ji; Zhanguo Wang; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/03/22 Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays 期刊论文 nanotechnology, 2015, 卷号: 26, 期号: 26, 页码: 265302 Tuanwei Shi; Xiaoye Wang; Baojun Wang; Wei Wang; Xiaoguang Yang; Wenyuan Yang; Qing Chen; Hongqi Xu; Shengyong Xu; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/23 Synthesis, properties, and top-gated metal–oxide–semiconductor field-effect transistors of p-type GaSb nanowires 期刊论文 RSC Advances, 2013, 期号: 43, 页码: 19834-19839 Guangwei Xu, Shaoyun Huang, Xiaoye Wang, Bin Yu, Hui Zhang, Tao Yang, H. Q. Xu and Lun Dai 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/02/12