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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
1996 [6]
1995 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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有序Ga(0.5)In(0.5)P光致发光的研究
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 180
董建荣
;
刘祥林
;
陆大成
;
汪渡
;
王晓晖
;
王占国
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD和GSMBE生长Ga(0.5)In(0.5)P 外延层中有序结构的研究
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 641
董建荣
;
李晓兵
;
孙殿照
;
陆大成
;
李建平
;
孔梅影
;
王占国
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/23
InP的MOVPE生长
期刊论文
光子学报, 1996, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 153
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
汪度
;
董建荣
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/11/23
MOCVD生长Ga(0.5)In(0.5)P外延层光学性质的研究
期刊论文
光子学报, 1996, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 35
董建荣
;
刘祥林
;
陆大成
;
汪度
;
王晓晖
;
王占国
;
黎健
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
GaInP材料生长及其性质研究
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 88
董建荣
;
刘祥林
;
陆大成
;
汪度
;
王晓晖
;
王占国
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/23
MOVPE生长Al(0.35)Ga(0.65)As/GaAs量子阱结构的光致发光
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 252
董建荣
;
陆大成
;
汪度
;
王晓晖
;
刘祥林
;
王占国
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
GaN的MOCVD生长
期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 831
陆大成
;
汪度
;
王晓晖
;
董建荣
;
刘祥林
;
高维滨
;
李成基
;
李蕴言
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/11/23
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