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有序Ga(0.5)In(0.5)P光致发光的研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 180
董建荣; 刘祥林; 陆大成; 汪渡; 王晓晖; 王占国
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MOCVD和GSMBE生长Ga(0.5)In(0.5)P 外延层中有序结构的研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 641
董建荣; 李晓兵; 孙殿照; 陆大成; 李建平; 孔梅影; 王占国
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InP的MOVPE生长 期刊论文
光子学报, 1996, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 153
刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 董建荣
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MOCVD生长Ga(0.5)In(0.5)P外延层光学性质的研究 期刊论文
光子学报, 1996, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 35
董建荣; 刘祥林; 陆大成; 汪度; 王晓晖; 王占国; 黎健
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2010/11/23
GaInP材料生长及其性质研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 88
董建荣; 刘祥林; 陆大成; 汪度; 王晓晖; 王占国
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/23
MOVPE生长Al(0.35)Ga(0.65)As/GaAs量子阱结构的光致发光 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 252
董建荣; 陆大成; 汪度; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 831
陆大成; 汪度; 王晓晖; 董建荣; 刘祥林; 高维滨; 李成基; 李蕴言
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