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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [2]
发表日期
2016 [1]
2012 [1]
2011 [8]
2010 [3]
学科主题
半导体材料 [13]
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学科主题:半导体材料
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Plasmonic mode analysis of deep subwavelength graphene nanoribbon waveguides
期刊论文
journal of nanophotonics, 2016, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 016003
Xiao Yang
;
Weibin Qiu
;
Shangxin Lin
;
Jing Zhao
;
Yixin Huang
;
Houbo Chen
;
Jia-Xian Wang
;
Qiang Kan
;
Jiao-Qing Pan
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/03/10
Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2012, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 10102
Pan, X
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Jiang, LJ
;
Yin, H
;
Chen, H
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/01/29
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:85/7
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提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/07/26
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/07/26
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
Pan X
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Yin HB
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROUP-III NITRIDES
INVERSION DOMAINS
HIGH-TEMPERATURE
GAN
SI(111)
ALN
SAPPHIRE
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Jin P
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浏览/下载:54/4
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提交时间:2011/07/07
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
AlGaN alloys
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