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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响 期刊论文 人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43 作者:  杨少延;  魏鸿源;  焦春美 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/08/16 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 赵桂娟; 汪连山; 杨少延; 刘贵鹏; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/09/29 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/28 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/10/29