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| High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801
Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-Fei); Gu YX (Gu Yong-Xian); Ma; WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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| Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating 期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian); Yang T (Yang Tao); Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Gu YX (Gu Yong-Xian); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wang Q (Wang Qing); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Chen LH (Chen Liang-Hui)
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| Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: art. no. 013102
Xu PF (Xu Peng-Fei); Yang T (Yang Tao); Ji HM (Ji Hai-Ming); Cao YL (Cao Yu-Lian); Gu; YX (Gu Yong-Xian); Liu Y (Liu Yu); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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| Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者: Ma WQ ; Cao YL; Yang T
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2014/10/31 |
| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
张艳华; 马文全; 曹玉莲
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2014/10/31 |
| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
曹玉莲; 马文全; 张艳华
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2014/10/31 |
