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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Improved electroluminescence from n-ZnO/AlN/p-GaN heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: art. no. 201102
You JB (You J. B.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
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Zhang SG (Zhang S. G.)
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Wang JX (Wang J. X.)
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Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
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Zhang WJ (Zhang W. J.)
;
Chu PK (Chu P. K.)
;
Cui B (Cui B.)
;
Wowchak AM (Wowchak A. M.)
;
Dabiran AM (Dabiran A. M.)
;
Chow PP (Chow P. P.)
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提交时间:2010/06/18
ZNO
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