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Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying
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Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 678-681
王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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