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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
1999 [2]
1998 [1]
1997 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 989
张兴宏
;
程知群
;
夏冠群
;
徐元森
;
杨玉芬
;
王占国
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 292
作者:
徐波
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/23
AlGaAs/GaAs HEMT中界态对沟道层电场特性影响的二维数值研究
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191
张兴宏
;
杨玉芬
;
王占国
收藏
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浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Two-Dimensional Simulation of Interface States Effect on AlGaAs/GaAs HEMT
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 636
张兴宏
;
杨玉芬
;
王占国
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/23
δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 682
张兴宏
;
杨玉芬
;
王占国
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
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