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半导体研究所 [4]
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半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
内容类型:专利
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甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
卫炀
;
马文全
;
张艳华
;
曹玉莲
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/10/31
Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
张艳华
;
马文全
;
曹玉莲
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2014/10/31
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
曹玉莲
;
马文全
;
张艳华
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2014/10/31
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
黄建亮
;
马文全
;
张艳华
;
曹玉莲
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2014/10/31
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