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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2013 [1]
2010 [1]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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Suppression of hole leakage by adding a hole blocking layer prior to the first quantum barrier in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
期刊论文
Phys. Status Solidi A, 2017, 卷号: 214, 期号: 10, 页码: 1700320
作者:
Yao Xing
;
De Gang Zhao
;
De Sheng Jiang
;
Xiang Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 057703
Feng Liang
;
Ping Chen
;
De-Gang Zhao
;
De-Sheng Jiang
;
Zhi-Juan Zhao
;
Zong-Shun Liu
;
Jian-Jun Zhu
;
Jing Yang
;
Wei Liu
;
Xiao-Guang He
;
Xiao-Jing Li
;
Xiang Li
;
Shuang-Tao Liu
;
Hui Yang
;
Li-Qun Zhang
;
Jian-Ping Liu
;
Yuan-Tao Zhang
;
Guo-Tong Du
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/10
Performance Enhancement of GaN-Based Laser Diodes With Prestrained Growth
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2013, 卷号: 25, 期号: 24, 页码: 2401-2404
Feng, Mei-Xin
;
Liu, Jian-Ping
;
Zhang, Shu-Ming
;
Jiang, De-Sheng
;
Li, Zeng-Cheng
;
Zhou, Kun
;
Li, De-Yao
;
Zhang, Li-Qun
;
Wang, Feng
;
Wang, Hui
;
Chen, Ping
;
Liu, Zong-Shun
;
Zhao, De-Gang
;
Sun, Qian
;
Yang, Hui
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2014/04/09
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:128/4
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提交时间:2010/04/13
GaN
Si (111) substrate
metalorganic chemical vapour deposition
AlN buffer layer
AlGaN interlayer
: VAPOR-PHASE EPITAXY
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
ALXGA1-XN
FILM
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
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