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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39 作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/11/30 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/07/11 GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 662, 页码: 16-19 X.G. He; D.G. Zhao; D.S. Jiang; J.J. Zhu; P. Chen; Z.S. Liu; L.C. Le; J. Yang; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192 X. Li; D.G. Zhao; J. Yang; D.S. Jiang; Z.S. Liu; P. Chen; J.J. Zhu; W. Liu; X.G. He; X.J. Li; F. Liang; L.Q. Zhang; J.P. Liu; H. Yang; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/03/10 Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文 chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79 F. Liang; P. Chen; D.G. Zhao; D.S. Jiang; Z.S. Liu; J.J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X.G. He; X.J. Li; X. Li; S.T. Liu; H. Yang; L.Q. Zhang; J.P. Liu; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/10 Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文 vacuum, 2016, 卷号: 129, 页码: 99-104 J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; X.G. He; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/10 Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 681, 页码: 522-526 J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/10 Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 18, 页码: 183509 Feng, M.X.; Liu, J.P.; Zhang, S.M.; Liu, Z.S.; Jiang, D.S.; Li, Z.C.; Wang, F.; Li, D.Y.; Zhang, L.Q.; Wang, H.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/05/08