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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602 作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/11/30 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/11 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 043508 M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/09 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48 Su, X. J.; Xu, K.; Ren, G. Q.; Wang, J. F.; Xu, Y.; Zeng, X. H.; Zhang, J. C.; Cai, D. M.; Zhou, T. F.; Liu, Z. H.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/08/27 Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration? 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102 Zheng CC (Zheng, C. C.); Xu SJ (Xu, S. J.); Zhang F (Zhang, F.); Ning JQ (Ning, J. Q.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Yang H (Yang, H.); Che CM (Che, C. M.) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/27 Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: art.no.125007 Liu, JQ (Liu, J. Q.); Wang, JF (Wang, J. F.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Guo, X (Guo, X.); Huang, K (Huang, K.); Zhang, YM (Zhang, Y. M.); Hu, XJ (Hu, X. J.); Xu, Y (Xu, Y.); Xu, K (Xu, K.); Huang, XH (Huang, X. H.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：245/114  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS   Chemical composition and elastic strain in AlInGaN quaternary films 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432 Zhou, SQ (Zhou, Shengqiang); Wu, MF (Wu, M. F.); Yao, SD (Yao, S. D.); Liu, JP (Liu, J. P.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/29 Rutherford backscattering spectroscopy   Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143 Zhou SQ (Zhou Shengqiang); Wu MF (Wu M. F.); Yao SD (Yao S. D.); Zhang BS (Zhang B. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  superlattice  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  OPTICAL-PROPERTIES  INGAN/GAN  STRAIN  INTERFACE  GROWTH  GAN