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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011204 Xiaojing Li; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Zongshun Liu; Lingcong Le; Jing Yang; Xiaoguang He; Liqun Zhang; Shuming Zhang; Jianping Liu; Hui Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/10 Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue–violet laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 011209 Lingcong Le; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Zongshun Liu; Jianjun Zhu; Jing Yang; Xiaojing Li; Xiaoguang He; Jianping Liu; Shuming Zhang; Hui Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/23 NiO removal of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN after annealing 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 101-104 作者:  Yan Tingjing;  Chen Lianghui;  Zhang Shuming 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Dislocation Reduction in GaN on Sapphire by Epitaxial Lateral Overgrowth 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 419-424 作者:  Wang Hui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang;  Wang Hui 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 499-505 作者:  Chen Lianghui;  Zhao Degang;  Zhu Jianjun;  Zhang Shuming 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS   Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417 作者:  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：169/1  |  提交时间：2010/11/23