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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer 期刊论文 CrystEngComm, 2017, 卷号: 19, 页码: 4330–4337 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Long Yan;  Pengchong Li 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/30 The property optimization of n-GaN films grown on n-SiC substrates by incorporating a SiNx interlayer 期刊论文 J Mater Sci: Mater Electron, 2017, 卷号: 28, 页码: 6008–6014 作者:  Shuang Cui;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Gaoqiang Deng;  Baozhu Li 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/11/30 器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文 物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909 作者:  江德生;  朱建军;  张书明;  邓懿;  吴亮亮 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16 A study on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 rare metals, 2007, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 271-275 Deng DM (Deng Dongmei); Zhao DG (Zhao Degang); Wang JY (Wang Jinyan); Yang H (Yang Hui); Wen CP (Wen Cheng Paul) 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/03/29 compound semiconductor material   Persistent Photoconductivity in n-type GaN 期刊论文 semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 77-80 作者:  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23