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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 作者:  王玉田;  江德生;  赵德刚;  朱建军;  张书明 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596 作者:  朱建军;  江德生;  赵德刚;  张书明 收藏  |  浏览/下载：152/52  |  提交时间：2010/11/23 GaN基肖特基结构紫外探测器 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 711-714 作者:  朱建军;  王俊;  王俊;  赵德刚;  张书明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283 作者:  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 161-164 作者:  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589 作者:  王玉田;  赵德刚;  张书明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23