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科研机构
半导体研究所 [8]
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光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:
Li MF
;
He JF
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浏览/下载:35/3
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提交时间:2011/07/05
I-N PHOTODIODES
Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504
Zhu B (Zhu Bin)
;
Han Q (Han Qin)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
He JF (He Ji-Fang)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Wang X (Wang Xin)
;
Wang XP (Wang Xiu-Ping)
;
Wang J (Wang Jie)
收藏
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浏览/下载:127/5
  |  
提交时间:2010/04/22
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYERS
DARK CURRENT
PHOTODIODES
LASERS
Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503
Yang XH (Yang Xiaohong)
;
Xu XL (Xu Xiulai)
;
Wang XP (Wang Xiuping)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Williams DA (Williams David A.)
收藏
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浏览/下载:69/2
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提交时间:2010/04/22
III-V semiconductors
indium compounds
laser beam applications
nanoelectronics
photoelectric devices
photoelectricity
phototransistors
semiconductor quantum dots
I-N JUNCTIONS
Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 52-55
Wei QX
;
Ren ZW
;
He ZH
;
Niu ZC
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/03/08
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
DEPOSITION
High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown GaAs resonant-cavity-enhanced photodetector
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.131104
Han Q (Han Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
;
Peng LH (Peng L. H.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Yang XH (Yang X. H.)
;
Du Y (Du Y.)
;
Zhao H (Zhao H.)
;
Wu RH (Wu R. H.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
HIGH-SPEED
CARRIER DYNAMICS
M OPERATION
1.55-MU-M
POWER
High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:223/54
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
Angular dependent characteristics of a 1.3-mu m GaInNAs/GaAs quantum-well resonant cavity enhanced photodetect
期刊论文
microwave and optical technology letters, 2002, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 333-336
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/08/12
GaInNAs quantum wells
resonant cavity enhanced photodetector
WDM networks
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
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浏览/下载:109/4
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
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