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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A ridge width varied two-section index-coupled DFB self-pulsation laser with a wide continuously tunable frequency range 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: art. no. 125105 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：232/0  |  提交时间：2010/03/08 DISTRIBUTED-FEEDBACK LASER  OPTICAL CLOCK RECOVERY  GENERATION   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: art.no.103503 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  PHASE-EPITAXY  MU-M  GAAS  SURFACE  GROWTH  MISORIENTATION  FABRICATION  UNIFORMITY   Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Ye XL;  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 bimodal size distribution  metalorganic vapor phase epitaxy  self-assembled quantum dots  indium arsenide  PHASE-EPITAXY  ISLANDS  INGAAS  SIZE  LASER   Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304 Liang, S; Zhu, HL; Pan, JQ; Hou, LP; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：95/22  |  提交时间：2010/03/17 bimodal size distribution   Effect of annealing on optical properties of InAs quantum dots grown by MOCVD on GaAs (100) vicinal substrates 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2692-2695 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：79/26  |  提交时间：2010/03/17 EPITAXY