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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
作者:  朱建军
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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载:117/0  |  提交时间:2010/11/23
钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器 期刊论文
中国激光, 2004, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 129-132
王海嵩; 杜国同; 崔宏峰; 许呈栋; 宋俊峰; 杜云; 陈弘达; 吴荣汉
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