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兰州理工大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2022 [1]
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Boosting nonradical process in BiOI/BiOCl heterostructure by interface oxygen vacancies
期刊论文
Chemical Engineering Journal, 2022, 卷号: 435
作者:
Qin, Hailan
;
Sun, Jingyu
;
Xia, Dongsheng
;
Xu, Haiming
;
Yu, Qilin
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提交时间:2022/04/21
Bismuth compounds
Chlorine compounds
Defect engineering
Heterojunctions
Water pollution
BiOI/BiOCl
Electrophilicities
Interface oxygen vacancy
Nonradical
Oxygen vacancy concentration
Photo-induced
Selective degradation
Synthesised
Transport resistance
Ultrasonic methods
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