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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector 期刊论文 Carbon, 2021, 卷号: 175, 页码: 155-163 作者:  Y. Chen;  K. Jiang;  H. Zang;  J. Ben;  S. Zhang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13 A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 868 作者:  Y. Chen;  Y. Wu;  J. Ben;  K. Jiang;  Y. Jia 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文 ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136 作者:  P. Yang;  H. Yang;  Z. Wu;  F. Liao;  X. Guo 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/06/13 The Lyman-alpha Solar Telescope (LST) for the ASO-S mission - I. Scientific objectives and overview (vol 19, 158, 2019) 期刊论文 Research in Astronomy and Astrophysics, 2021, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 1 作者:  H. Li;  B. Chen;  L. Feng;  Y. Li;  Y. Huang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13 Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation 期刊论文 Advanced Science, 2021, 卷号: 8, 期号: 18 作者:  H. Zang;  X. Sun;  K. Jiang;  Y. Chen;  S. Zhang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/06/13 Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16 作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Suppressed optical field and electron leakage and enhanced hole injection in InGaN laser diodes with InGaN-GaN-InGaN barriers 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2021, 卷号: 130, 期号: 18 作者:  L. Cheng;  J. Zhang;  J. Wang;  J. Zhang;  J. Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6 作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2023/06/14 Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文 Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136 作者:  P. Yang;  H. F. Yang;  Z. Y. Wu;  F. Y. Liao;  X. J. Guo 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14