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半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [2]
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发表日期:2020
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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High-performance 5.1 nm in-plane Janus WSeTe Schottky barrier field effect transistors
期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 42, 页码: 21750-21756
作者:
Zhi-Qiang Fan
;
Zhen-Hua Zhang
;
Shen-Yuan Yang
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提交时间:2021/05/24
Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers
期刊论文
J. Infrared Millim. Waves, 2020, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 667~670
作者:
Yuan Ye
;
Su Xiang-Bin
;
Yang Cheng-ao
;
Zhang Yi
;
Shang Jin-Ming
;
Xie Sheng-Wen
;
Zhang Yu
;
Ni Hai-Qiao
;
Xu Ying-Qiang
;
Nil Zhi-Chuan
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提交时间:2021/05/21
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