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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Voltage, Flexible InGaZnO Thin-Film Transistors Gated With Solution-Processed, Ultra-Thin AlxOy 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 36-39 作者:  Cai, Wensi;  Wilson, Joshua;  Zhang, Jiawei;  Park, Seonghyun;  Majewski, Leszek 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/11 Indium-gallium-zinc-oxide  thin-film transistors (TFTs)  plastic  substrate  1 V operation   Low-Voltage, Full-Swing InGaZnO-Based Inverters Enabled by Solution-Processed, Ultra-Thin AlxOy 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1285-1288 作者:  Cai, Wensi;  Zhang, Jiawei;  Wilson, Joshua;  Song, Aimin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 Full-swing inverters  InGaZnO  one-volt operation  high voltage gain and  noise margins   Solution-Processed TiO2-Based Schottky Diodes With a Large Barrier Height 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 1378-1381 作者:  Zhang, Xijian;  Cai, Wensi;  Zhang, Jiawei;  Brownless, Joseph;  Wilson, Joshua 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/11 Schottky diode  TiO2  anodization  high frequency