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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Design and fabrication of 10-kV silicon–carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 068504 作者:  Zheng-Xin Wen;   Feng Zhang;   Zhan-Wei Shen;   Jun Chen;   Ya-Wei He;   Guo-Guo Yan;   Xing-Fang Liu;   Wan-Shun Zhao;   Lei Wang;   Guo-Sheng Sun;   Yi-Ping Zeng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/07/31