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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242 作者:  Hongliang Zhao;  Lin-An Yang;  Hao Zou;  Xiao-hua Ma;  Yue Hao 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/12/17 HEMTs  Wide band gap semiconductors  Aluminum gallium nitride  Logic gates  Oscillators  Mathematical model  Schottky diodes  AlGaN/GaN  electron domain  high-electron mobility transistor (HEMT)  recessed barrier layer (RBL)  terahertz