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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/12/24