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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/28 Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node 期刊论文 Journal of the Electron Devices Society, 2018 作者:  Gu J(顾杰);  Wen Yang;  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang WW(王文武) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/05