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| Simulation and fabrication of N-polar GaN-based blue-green light- emitting diodes with p-type AlGaN electron blocking layer 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9321-9325
作者: Gaoqiang Deng; Yuantao Zhang; Ye Yu; Long Yan; Pengchong Li; Xu Han; Liang Chen; Degang Zhao; Guotong Du
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| Study on the structural, optical, and electrical properties of the yellow light-emitting diode grown on free-standing (0001) GaN substrate 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2018, 卷号: 116, 页码: 1-8
作者: Gaoqiang Deng ; Yuantao Zhang ; Ye Yu ; Long Yan ; Pengchong Li ; Xu Han ; Liang Chen ; Degang Zhao ; Guotong Du
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| Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 7756-7762
作者: Xu Han; Yuantao Zhang; Pengchong Li ; Long Yan ; Gaoqiang Deng ; Liang Chen ; Ye Yu ; Degang Zhao ; Jingzhi Yin
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| Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiN x interlayer 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 122, 页码: 74-79
作者: Gaoqiang Deng ; Yuantao Zhang ; Ye Yu ; Zhen Huang ; Xu Han ; Liang Chen ; Long Yan ; Pengchong Li ; Xin Dong ; Degang Zhao ; Guotong Du
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| Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 151607
作者: Gaoqiang Deng; Yuantao Zhang; Ye Yu; Long Yan; Pengchong Li; Xu Han; Liang Chen; Degang Zhao; Guotong Du
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| Determination of the number of ψ(3686)events at BESⅢ 期刊论文
Chinese Physics C, 2018, 卷号: 第42卷 第2期, 页码: 7-17
作者: Mai DN(麦迪娜); M.N.Achasov; Ai XC(艾小聪); D.J.Ambrose; A.Amoroso
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| 太赫兹自由电子激光波荡器的设计、测量与优化 期刊论文
强激光与粒子束, 2018, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 67-72
作者: 闫陇刚; 邓德荣; 张浩; 张伟; 张继东
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| 真实飞机外型全流场和优化设计数值模拟 成果
2018
主要完成人: 郭兆电、陆忠华、李新亮（3）、崔德刚、李中武、安亦然、廖振荣、邓一菊、胡晓东、李权、谭伟伟、梁贤、杜海、田川、侯银珠、梁益华、张颖、吴响、于长平、张睿、周磊、李敏、谢露、郭晓娟、周若君
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