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一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片 专利
专利号: CN207217575U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  黄华茂;  杨倬波;  王洪;  胡晓龙
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刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响 期刊论文
《发光学报》, 2018, 卷号: 39, 页码: 1297-1304
作者:  杨倬波[1] 黄华茂[1,2] 施伟[1];  王洪[1,2]
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