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一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹
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血清多种生化指标在PCI患者围术期的浓度变化 期刊论文
2018, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 35-39
作者:  秦绪珍;  王丹晨;  叶益聪;  唐国栋;  侯立安
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