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微电子研究所 [1]
中国医学科学院 北京... [1]
内容类型
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [2]
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发表日期:2018
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一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法
专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:
彭朝阳
;
刘新宇
;
刘国友
;
李诚瞻
;
汤益丹
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提交时间:2019/03/07
血清多种生化指标在PCI患者围术期的浓度变化
期刊论文
2018, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 35-39
作者:
秦绪珍
;
王丹晨
;
叶益聪
;
唐国栋
;
侯立安
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/03
经皮冠状动脉介入术 心型脂肪酸结合蛋白 缺血修饰清蛋白 白细胞介素 肿瘤坏死因子 髓过氧化物酶 percutaneous coronary intervention heart-type fatty acid-binding protein ischemia modified albumin interleukin tumor necrosis factor myeloperoxidase
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