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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文 Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463 作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19