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具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法 专利
申请日期: 2018-07-03,
作者:  张晓东,范亚明,蔡勇,张宝顺
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Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie
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