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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer 期刊论文 NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189 作者:  Meilan Hao ;   Quan Wang ;   Lijuan Jiang ;   Chun Feng ;   Changxi Chen ;   Cuimei Wang ;   Hongling Xiao ;   Fengqi Liu ;   Xiangang Xu ;   Xiaoliang Wang ;   Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/11/15