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科研机构
微电子研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
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发表日期:2017
专题:微电子研究所
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Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100)β-Ga2O3 Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties
期刊论文
AIP Advances, 2017
作者:
Jian GZ(菅光忠)
;
He QM(何启鸣)
;
Dong H(董航)
;
Tan Y(覃愿)
;
Zhang Y(张颖)
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提交时间:2018/07/13
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