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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210332933.1, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2014-03-26
作者:  秦长亮;  陈大鹏;  马小龙;  殷华湘
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9548387, 申请日期: 2017-01-17, 公开日期: 2014-01-30
作者:  秦长亮;  殷华湘;  马小龙;  徐秋霞;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2018/07/18
氮掺杂多级孔结构碳球及其制备方法 专利
申请日期: 2017-01-01,
作者:  颜蔚[1];  陈小龙[2];  邵勤思[3];  李爱军[4];  张久俊[5]
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/24


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