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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance enhancement in uniaxially tensile stressed GeSn n-channel fin tunneling field-effect transistor: Impact of stress direction 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 04CD07 作者:  Hongjuan Wang;  Genquan Han;  Xiangwei Jiang;  Yan Liu;  Chunfu Zhang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/06/15