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Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
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贵州省普定县五指山铅锌矿资源储量核实及勘探 获奖成果
国家奖: 一等奖, 2016
作者:  林贵生、王兵、朱尤青、吴先彪、曾道国、谢卫东、麻炳贵、罗传庆、林日松、杨荣林、陈兴龙、苏之良、张信伦、陈旭、蔡国盛、周俊
收藏  |  浏览/下载:227/0  |  提交时间:2018/12/10
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
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