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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Rational Design of ZnO:H/ZnO Bilayer Structure for High-Performance Thin-Film Transistors 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 页码: 7862-7868 作者:  Abliz, Ablat;  Huang, Chun-Wei;  Wang, Jingli;  Xu, Lei;  Liao, Lei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/21 bilayer structure  thin-film transistors  ZnO  hydrogenation  mobility   Side-Gated In2O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High-Performance Nonvolatile Memory Applications 期刊论文 ADVANCED SCIENCE, 2016, 卷号: 3 作者:  Su, Meng;  Yang, Zhenyu;  Liao, Lei;  Zou, Xuming;  Ho, Johnny C. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21 Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2films 期刊论文 Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 15 作者:  Li, Wenqing;  Liu, Xinqiang;  Wang, Yongqiang;  Dai, Zhigao;  Wu, Wei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 High Mobility MoS2Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 Advanced Materials, 2016 作者:  Wang, Jingli;  Yao, Qian;  Huang, Chun-Wei;  Zou, Xuming;  Liao, Lei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 A novel water-soluble chitosan linked fluorescent carbon dots and isophorone diisocyanate fluorescent material toward detection of chromium(VI) 期刊论文 Analytical Methods, 2016, 卷号: 8, 期号: 48, 页码: 8554-8565 作者:  Wang, Jie[1];  Qiu, Fengxian[2];  Wu, Haiyan[3];  Li, Xin[4];  Zhang, Tao[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24 High Mobility MoS2Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 Advanced Materials, 2016 作者:  Liao, Lei;  Wu, Wen-Wei;  Yao, Qian;  Chen, Shanshan;  Zou, Xuming 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 37 作者:  Huang, Chun-Wei;  Fan, Zhiyong;  Zhang, Kai;  Wu, Wei;  Chen, Shanshan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 contact resistance  hexagonal boron nitride  MoS2  tunneling   Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2films 期刊论文 Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 15 作者:  Li, Wenqing;  Liu, Xinqiang;  Wang, Yongqiang;  Dai, Zhigao;  Wu, Wei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Side-Gated In2O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High-Performance Nonvolatile Memory Applications 期刊论文 ADVANCED SCIENCE, 2016, 卷号: 3, 期号: 9 作者:  Su, Meng;  Yang, Zhenyu;  Liao, Lei;  Zou, Xuming;  Ho, Johnny C. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 15 作者:  Li, Wenqing;  Liu, Xinqiang;  Wang, Yongqiang;  Dai, Zhigao;  Wu, Wei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05