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科研机构
上海大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
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2016 [2]
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发表日期:2016
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Annealing Treatment on Amorphous InAlZnO Films for Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 页码: 3547-3551
作者:
Ye, Zhizhen[1]
;
Yue, Shilu[2]
;
Zhang, Jie[3]
;
Li, Xifeng[4]
;
Chen, Lingxiang[5]
收藏
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提交时间:2019/04/26
Amorphous oxide semiconductor (AOS)
annealing treatment
InAlZnO
temperature
thin-film transistors (TFTs)
Thin-Film Transistors Based on Amorphous ZnNbSnO Films With Enhanced Behaviors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 页码: 2412-2416
作者:
Yan, Weichao[1]
;
Yue, Shilu[2]
;
Lu, Jianguo[3]
;
Li, Xifeng[4]
;
Yu, Genyuan[5]
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/04/26
Amorphous materials
current-voltage characteristics
semiconductor films
thin-film transistors (TFTs)
zinc compounds
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