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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The role of polarization coulomb field scattering in the electron mobility of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2016, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 883-888 作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Yang, Ming;  Shi, Wenjing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  Polarization  Coulomb field scattering  Two-dimensional electron gas electron mobility   Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 10, 页码: 3908-3913 作者:  Yang, Ming;  Lv, Yuanjie;  Feng, Zhihong;  Lin, Wei;  Cui, Peng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/GaN heterostructure FETs (HFETs)  extrinsic transconductance  polarization Coulomb field (PCF) scattering   Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 22 作者:  Yang, Ming;  Lv, Yuanjie;  Feng, Zhihong;  Lin, Wei;  Cui, Peng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/16 Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 4, 页码: 1471-1477 作者:  Yang, Ming;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Cui, Peng;  Fu, Chen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/GaN heterostructure FETs (HFETs)  extrinsic transconductance  parasitic source access resistance  polarization Coulomb field (PCF)  scattering