QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：四川大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Vibrational modes of chalcopyrite CdGeAs crystal 期刊论文 Materials Research Bulletin, 2016, 卷号: Vol.81, 页码: 107-113 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/03/01 A.  Optical  materials  B.  Crystal  growth  B.  Lattice  dynamics  C.  Raman  spectroscopy  C.  X-ray  diffraction   Temperature behavior of thermal expansion anisotropy, Gruneisen parameters and thermal conductivity of chalcopyrite AgGa0.7In0.3Se2 crystal 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: Vol.688, 页码: 173-179 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/03/26 AgGa0.7In0.3Se2  Thermal  expansion  behavior  Grneisen  parameters  Thermal  conductivity   Investigation of thermodynamics properties of chalcopyrite compound CdGeAs 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2016, 卷号: Vol.443, 页码: 8-14 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/03/26 CdGeAs2  single  crystals  Vertical  Bridgman  technique  Thermal  expansion  coefficients  Grüneisen  parameters  Thermal  conductivities   Temperature behavior of thermal expansion anisotropy, Grüneisen parameters and thermal conductivity of chalcopyrite AgGaInSe crystal 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.688 Part A, 页码: 173-179 作者:  Wei Huang;  Beijun Zhao;  Shifu Zhu;  Zhiyu He;  Baojun Chen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/03/26 AgGa0.7In0.3Se2  Thermal  expansion  behavior  Grüneisen  parameters  Thermal  conductivity   Correlation between dislocation etch pits, carrier concentration and optical absorption in CdGeAs grown by modified Vertical Bridgman method 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.656, 页码: 818-824 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/03/26 CdGeAs2  single  crystals  Vertical  Bridgman  technique  Carrier  concentration  Dislocation  etch  pits  Optical  absorption