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北京大学 [3]
内容类型
其他 [3]
发表日期
2016 [3]
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共3条,第1-3条
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发表日期:2016
内容类型:其他
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Physical Understanding and Optimization of Resistive Switching Characteristics in Oxide-RRAM
其他
2016-01-01
Kang, J. F.
;
Huang, P.
;
Chen, Z.
;
Zhao, Y. D.
;
Liu, C.
;
Han, R. Z.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, Y. Y.
;
Gao, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Resistive random access memory (RRAM)
switching mechanism
physical-based model
resistive switching
reliability
optimization design
MODEL
MEMORY
OPERATIONS
MECHANISM
Understanding charge traps for optimizing Si-passivated Ge nMOSFETs
其他
2016-01-01
Ren, P.
;
Gao, R.
;
Ji, Z.
;
Arimura, H.
;
Zhang, J. F.
;
Wang, R.
;
Duan, M.
;
Zhang, W.
;
Franco, J.
;
Sioncke, S.
;
Cott, D.
;
Mitard, J.
;
Witters, L.
;
Mertens, H.
;
Kaczer, B.
;
Mocuta, A.
;
Collaert, N.
;
Linten, D.
;
Huang, R.
;
Thean, A. V.Y.
;
Groeseneken, G.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Atomic Monte-Carlo Simulation for CBRAM with Various Filament Geometries
其他
2016-01-01
Zhao, Y. D.
;
Huang, P.
;
Guo, Z. H.
;
Lun, Z. Y.
;
Gao, B.
;
Liu, X. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
RRAM
resistive switching
conductive filament
conductive bridge
Monte-Carlo
simulation
OXIDE
MEMORY
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